“`html
Intel, yarı iletken üretimindeki rekabetin seyrini değiştirmek adına TSMC ile arasındaki farkı kapatacak iddialı bir strateji sundu. Şirket, yeni duyurusunda 14A üretim sürecinin 2027’de risk üretim aşamasına gireceğini belirtirken; 18A sürecine bağlı olarak 18A-P ve 18A-PT adlarını taşıyan yeni performans odaklı varyantların sırasıyla 2026 ve 2028 yıllarında piyasaya sürüleceğini açıkladı. Bu gelişmeler, TSMC’nin 2028 hedefli A14 üretim planına karşı Intel’in belirlediği güçlü bir yanıt olarak yorumlanıyor.
Intel cesur adımlarla ilerliyor
Intel’in yeni CEO’su Lip Bu-Tan, çip üretimiyle ilgili en son güncellemeleri paylaşmak üzere Intel Foundry Direct 2025 etkinliğinde sahne aldı. Tan, Intel’in bir sonraki nesil 14A (1.4nm eşdeğeri) sürecini öncü müşterilerle birlikte geliştirmeye başladığını duyurdu. Şu anda birkaç müşteri, bu yeni süreç için test çiplerini “tape-out” aşamasına geçirdi. 14A sürecinde, Intel’in güç iletimini arka taraftan gerçekleştiren teknolojinin yeni bir versiyonu olan PowerDirect de yer alacak.
Öte yandan, Intel’in 18A sürecinde önemli adımlar atıldı. Şirketin 2024 yılı içinde hacimli üretime geçmeyi planladığı bu teknoloji, şu anda “risk üretimi” aşamasına ulaştı. Intel, bu süreçte yüksek performanslı bir varyant haline getirilen 18A-P‘yi de üretim hattına eklemiş durumda.
Bunun haricinde, Intel şimdi 18A-PT varyantını geliştiriyor. Bu varyant, şirketin dikey yonga yığma teknolojisi olan Foveros Direct 3D’yi destekliyor ve hibrit bağlantılarla birlikte sunuluyor. Bu teknik sayesinde, Intel artık çipleri üst üste yerleştirme imkanı bulacak.
Foveros Direct 3D teknolojisi, Intel’in rekabet gücünü artırmayı hedefleyen önemli bir strateji olarak dikkat çekiyor. Zira bu teknoloji, rakip TSMC’nin halihazırda AMD’nin 3D V-Cache ürünlerinde uyguladığı yöntemle benzer bir bağlantı yoğunluğu sağlıyor.
Intel 14A ile High-NA EUV dönemi başlıyor
Intel’in 18A’nın sonrasında planladığı 14A süreci, şirketin üretim stratejisinin önemli bir belirleyeni olacak. Intel, 14A için somut bir takvim açıklamamış olsa da, hazırlıklara çoktan başlandığı vurgulandı. 14A sürecinin sektörde High-NA EUV litografi teknolojisini kullanan ilk üretim süreci olacağı belirtildi. Bu ise Intel’in üretim konusundaki yenilikçiliğini gösteriyor. TSMC, A14 (1.4nm) sürecinde 2028 yılı hedeflendiği için, bu süreçte High-NA teknolojisini kullanmayacak. Böylece Intel, uzun zaman sonra bir teknoloji avantajı elde etmiş olacak.
Intel, öncü müşterilerine 14A süreci için tasarım kitlerinin (PDK) ilk sürümlerini ulaştırdı. Bu kitler, yeni nesil işlemcilerin tasarımı ve doğrulanmasında büyük önem taşıyan veri setleri, tasarım kuralları ve belgeleri içeriyor. Şirket, şimdiden pek çok müşterinin 14A süreci üzerinde çip üretimi yapma arzularını bildirdiğini açıkladı.
14A sürecinde, Intel’in önceki nesil PowerVia teknolojisinin geliştirilmiş bir versiyonu olan PowerDirect yer alacak. Bu yeni nesil güç iletim sistemi, her bir transistörün kaynak ve dren uçlarına doğrudan özel bağlantılar üzerinden güç aktarımı gerçekleştirebiliyor. Bu yapı, iletim direncini en aza indirirken güç verimliliğini artırıyor.
TSMC şu anda N2 süreci için arka tarafta bir güç dağıtım çözümü kullanmıyor. Super Power Rail (SPR) adında bir çözüm, 2026 sonunda üretime girecek olan A16 sürecinde devreye girecek. Ayrıca TSMC’nin A14 sürecinin de arka tarafta güç dağıtım mimarisinden faydalanmayacağı belirtiliyor.
Intel’in bu yeni süreci ile yüzde 15-20 oranında performans artışı ve yüzde 25-35 oranında enerji verimliliği elde edileceği ifade ediliyor.
Intel 18A-PT: Foveros Direct 3D ile yeni bir dönem
Intel’in 18A süreci, tek bir versiyonla sınırlı kalmamayı hedefliyor. Şirket, bu sürece özel olarak geliştirdiği farklı varyantlarla 18A’yı daha esnek ve ölçeklenebilir bir yapıya dönüştürüyor. Bu varyantlar, sürecin sonunda yer alan farklı eklentilerle tanımlanıyor ve belirli performans veya tasarım ihtiyaçlarını karşılamak amacıyla optimize ediliyor.
En yeni varyant olan 18A-PT, performans odaklı 18A-P varyantının hız ve verimlilik avantajlarını sunmakla kalmıyor; aynı zamanda Intel’in Foveros Direct 3D hibrit bağlama teknolojisini de entegre ediyor. Bu ileri düzey teknoloji, yongaların üst üste konulmasına olanak sağlıyor. Intel’in bu yöntemi, TSV (through-silicon vias) kullanarak çiplerin dikey bağlanmasını sağlıyor. Hedeflenen bağlantı aralığı, 10 mikrondan çok daha az bir değere ulaşarak 5 mikrondan küçük seviyelere kadar iniyor. Bu aralık küçüldükçe yoğunluk artıyor ve dolayısıyla performans yükseliyor.
Öte yandan, rakip AMD ise TSMC’nin SoIC-X hibrit bağlama teknolojisini kullanarak L3 çipletlerini X3D işlemcilerinde dikey olarak yerleştiriyor; bu teknolojinin bağlantı aralığı ise 4.5 ila 9 mikron arasında değişiklik gösteriyor. TSMC, 2027 yılı itibarıyla bu aralığı 3 mikrona kadar indirmeyi hedefliyor.
Intel’in yeni nesil sunucu platformlarından Clearwater Forest, Foveros Direct 3D paketleme teknolojisini kullanan ilk ürün olacak. Bu üründe kullanılan ana yonga, Intel’in Intel 3-T süreci ile üretilirken, üzerine yerleştirilen hesaplama yongaları Intel 18A süreci ile gelecek. Genellikle TSV’ler yalnızca ana yongaya entegre edilir; fakat Intel’in bu yapısıyla birlikte, 18A üzerine de başka yongalar (örneğin SRAM önbellek) dikey olarak yerleştirilebilecek. Bu durum, sadece alan tasarrufu değil, ayrıca bant genişliği ve gecikme konularında ciddi avantajlar sunacak. Intel’in bu süreç teknolojisi, yalnızca üretim alanında değil, aynı zamanda gelişmiş paketleme alanında da TSMC’ye meydan okuduğunu gösteriyor.
Intel 18A artık sona yaklaşıyor
Intel’in 1.8nm eşdeğeri kabul edilen 18A süreci artık risk üretimi aşamasına girmiş durumda. Bu, Intel’in ilk düşük hacimli üretim partilerini başlatmaya başladığı anlamına geliyor. Şirketin yüksek hacimli üretimine ise 2025 sonlarına doğru geçmesi bekleniyor. Hangi işlemcilerin üretime geçirileceği konusunda henüz resmi bir duyuru yok; ancak zamanlamaya bakıldığında Panther Lake işlemcilerinin bu süreçle örtüşeceği gözleniyor. Bu işlemci serisinin yıl sonunda piyasaya çıkması hedefleniyor.
İlk 18A üretimi Intel’in Oregon’daki tesislerinden çıkacak. Ayrıca, şirketin Arizona’daki tesislerinde de bu sürecin test edildiği ve 18A wafer’larının (yonga plakaları) başarıyla üretim hattından geçtiği doğrulanmıştır. Intel, 18A süreci ile sektörde PowerVia arka taraf güç iletim ağı (BSPDN) ve RibbonFET gate-all-around (GAA) transistör mimarisini ticarileştiren ilk firma olma özelliğine sahip.
Öte yandan, TSMC’nin 2nm sınıfındaki rakip süreci N2 de benzer bir zaman aralığında yüksek hacimli üretime geçmeyi hedefliyor. N2 süreci, Intel’in RibbonFET’ine benzer şekilde GAA transistörleri barındırıyor; ancak PowerVia benzeri bir çözüm sunmuyor. Sektörde yayımlanan son teknik sunumlara göre, Intel’in 18A süreci genellikle daha hızlı ve daha düşük güç tüketimi ile tanımlanırken; yoğunluk (transistör başına düşen alan) ve maliyet açısından TSMC’nin önde olduğu ifade ediliyor.
“`
